Дослiджується вплив швидких нейтронiв на зразки свiтловипромiнюючих дiодних структур n^+-n-p-AlxGa1−xAs/GaAs (x = 0,27 ÷ 0,31). Вольт-ампернi характеристики вимiрювалися в iнтервалi температур 77 К – 300 К до та пiсля ...

Досліджувалися вольт-амперні характеристики (ВАХ) вихідних світлодіодів GaP та опромінених електронами з Е = 2 МеВ, швидкими нейтронами реактора (Е = 2 МеВ) та α⁺⁺-частинками з Е = 27 МеВ. Вимірювання проводились у ...